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硅片清洗技术的发展趋势
 

硅片清洗技术的发展趋势

                           ---华林科纳CSE 小编

随着超大规模集成电路的发展、集成度的不断提高、线宽的不断减小,对硅片表面的洁净度及表面态的要求也越来越高。要得到高质量的半导体器件,仅仅除去硅片表面的沾污已不再是最终的要求。在清洗过程中造成的表面化学态、氧化膜厚度、表面粗糙度等已成为同样重要的参数。

目前,通常应用的清洗方法是湿式化学清洗法,苏州华林科纳半导体设备技术有限公司(CSE)多年经验专注于半导体湿式清洗工艺解决方案。即利用有机溶剂、碱性溶液、酸性溶液、表面活性剂等化学试剂,配合兆声、超声、加热等物理措施,使有机物、颗粒、金属等沾污脱离硅片表面,然后用大量的去离子水冲洗,获得洁净的硅片表面的清洗方法。

沉积在硅片表面的粒子、金属、有机物、湿气分子和自然氧化膜的一种或几种而形成了硅片表面沾污;因为有机物会遮盖部分硅片表面,使氧化层和与之相关的沾污难以去除。

在湿式清洗工艺中,硅片表面都有一层化学氧化膜,这层氧化膜是主要的沾污源。如果没有这层氧化膜可大大降低金属、有机物等沾污。可用HF清洗或简化常规工艺后最后用HF清洗,可通过降低与周围环境的接触来获得一个理想的钝化表面,减少颗粒吸附在敏感的疏水性表面上。这就对清洗工艺设备提出了多方面的要求。

目前华林科纳半导体设备公司(CSE)的清洗设备,则是将所有的清洗工艺步骤(清洗和干燥)结合在一个工艺槽中,大大地减少了硅片与空气的接触。将HF作为最后一道清洗液,采用了标准的刻蚀(采用了使用HF/HNO3, KOH, H3PO4, BOE, DHF, SPM, SOM等),表面也不存在水印,清洗效果非常好。

伴随着硅片的大直径化,器件结构的超微小化、高集成化,对硅片的洁净程度、表面的化学态、微粗糙度、氧化膜厚度等表面状态的要求越来越高。同时,要求用更经济的、给环境带来更少污染的工艺获得更高性能的硅片。华林科纳CSE专业的技术研发团队多年一直专注致力于中高端半导体清洗设备的研究,其湿式腐蚀、刻蚀清洗、电镀设备、CDS供液系统、IPA干燥系统等设备被广泛应用于半导体晶圆芯片、光电子器件、MEMS和集成电路等领域;优良的设备和良好的服务赢得了行业用户的赞许和信赖。

更多的半导体清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlcas.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。

 



 
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