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FSI在光刻胶清洗步骤中加入蒸汽
 

       日前,在Sematech表面预处理和清洗会议(SPCC, Austin, Texas)上,FSI International(Chaska, Minn.)公布了湿法清洗方法的新进展,可以在清洗碳化的光刻胶时保持超浅结(USJ)。

       与瓦立安半导体设备公司(Varian Semiconductor Equipment)展开合作,两家公司研究了等离子浸没式离子注入掺杂(PLAD)、毫秒退火和全湿法光刻胶剥离技术,以从结区去除极少量掺杂的硅。清洗工艺将注入蒸汽引入了硫酸和双氧水的混合液(SPM)中,从而把注入后晶圆光刻胶清洗的时间缩短到5分钟。


       FSI的首席技术官(CTO)Jeff Butterbaugh面对SPCC的100多名观众说,明年先进逻辑器件预期达到<100?的结注入深度。半导体国际线路图(ITRS)也将从明年起计划将每次清洗步骤地材料损失保持在0.3?,低于目前为止的广泛接受的0.4?。

       碳化已经变成去除注入后光刻胶的最大清洗挑战。无定形碳是“最困难的挑战,”Butterbaugh说,并补充“任何正在开发注入后光刻胶去除工艺的人,都必须确保去掉光刻胶,尤其是在边缘部分。你必须要移出所有的残余光刻胶。”

       去除碳化的光刻胶,使得FSI的化学家面临提高SPM反应活性的任务。为了使药液更易反应,FSI集中于研究出更激进的物质来,Butterbaugh称之为去除碳化光刻胶的中介物。

       更高的温度和更高的浓度下,激进分子拥有更高的氧化能力。FSI没有采用热水,那将会稀释掉SPM;FSI的方法是在工艺腔体中引入蒸汽,来提高混合液的温度,达到约260°C,接近沸点温度。在晶圆的表面,温度大约在200-220°C的范围。

       在工艺腔体中加入蒸汽,缩短了 注入后光刻胶去除所需要的时间。

       “我们可以看到,在工艺中加入蒸汽后光刻胶剥离的能力有了显著的提高。”他说。

       Butterbaugh也是ITRS前道工艺委员会的联合主席,他表示,等离子掺杂是实现超浅结的一个解决方案。到目前为止这是令人满意的:注入和光刻胶剥离步骤后,掺杂剂会残留在料想到的地方,片状的光阻接近最优化状态。10?见方的区域的成像图显示,硅损失保持在2?以下。

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